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Si硅

硅是具有符号Si和原子序数14的化学元素。四价准金属,硅的反应性低于其化学类比碳。作为宇宙中第八个最常见的元素,硅偶尔作为纯自由元素出现,但是作为各种形式的二氧化硅(二氧化硅)或硅酸盐,分布在灰尘,飞机和行星中更广泛。在地球上,硅是地壳中第二最丰富的元素(氧后),[1]占地壳的25.7%。

硅有许多工业用途。元素硅是大多数半导体器件的主要部件,最重要的是集成电路或微芯片。硅被广泛用于半导体,因为它在比半导体锗更高的温度下保持半导体,并且由于其天然氧化物容易在炉中生长并且形成比任何其它材料更好的半导体/电介质界面。

以二氧化硅和硅酸盐的形式,硅形成有用的玻璃,水泥和陶瓷。它也是有机硅的组成部分,是由硅,氧,碳和氢制成的各种合成塑料物质的类名,通常与硅本身混淆。

硅是生物学的一个基本要素,虽然只有微小的痕迹似乎是动物需要的。更重要的是植物的代谢,特别是许多禾本科植物,硅酸(一种二氧化硅)形成了微观硅藻的保护壳阵列的基础。

技术数据
符号 Si 密度(20°C)/ gcm 3 2.336(ß2.905
原子数 14 熔点/℃ 1420
天然存在的同位素数量 3 沸点/℃ -3280
原子重量 28.0855(+/- 3) ΔH FUS / kJmol -1 50.6
电子配置 [Ne] 3s 2 3p 2 ΔH VAP / kJmol -1 383
IV(共价)/ pm 117.6 ΔHf (单原子气体) / kJmol -1 454
IV(离子,6坐标)/ pm 40 电离能 / kJmol -1 I 786.3
电阻率(20°C)/μohmcm 〜48 电离能 / kJmol -1 II 1576.5
保宁电负性 1.8 电离能/ kJmol -1 III 3228.3
带隙E g / kJmol -1 106.8 电离能/ kJmol -1 IV
蒸发技术
温度(ø C)@Vap。压力 技术 备注
10 -8 10 -6 10 -4 电子束
992 1147 1337 公平 钽和玻璃状石墨 - 钨和钽 钨合金; 使用重型钨舟。SiO 4产生高于4×10 -6乇。EB最佳
硅(Si)
电阻合金
名称 型号 元素名称 电阻值
μΩ/Cm/20°C
导电率
S/W
密度
g/cm3
立承德-卡玛 NEXTM KAMA NiCr20AlSi 132 0.76 8
电热合金
型号 元素名称 熔点
°C 
温度公差 温度范围
KP Ni,Si,Fe,Cr 1430 ±2.2°C or ±0.75% (t90) 0 to 1260 标准公差
KN Ni,Mn,Al,Si 1400 ±2.2°C or ±0.75% (t90) 0 to 1260
NP Ni,Si,Cr 1394 ±2.2°C or ±0.75% (t90) 0 to 1260
NN Ni,Si 1341 ±2.2°C or ±0.75% (t90) 0 to 1260
EP Ni,Si,Fe,Cr 1430 ±1.7°C or ±0.5% (t90) 0 to 870
JP Fe,Mn,Si,Al,C 1496 ±2.2°C or ±0.75% (t90) 0 to 760
KPX Ni,Si,Fe,Cr 1430 ±2.2°C 0 to 200
KNX Ni,Mn, Al, Si 1400 ±2.2°C 0 to 200
NPX Ni,Si,Cr 1394 ±2.2°C 0 to 200
NNX Ni,Si 1341 ±2.2°C 0 to 200
EPX Ni,Si,Fe,Cr 1430 ±1.7°C 0 to 200
JPX Fe,Mn,Si,Al,C 1496 ±2.2°C 0 to 200
KPCA Fe,Mn,Si,Al,C 1496 ±100μV(±2.5°C) 0 to 150 二级公差
靶材
材料名称 元素名称 原子序数 导热性
W/m.K
理论密度
g/cc
Silicon_Si  Si 14 150 2.32
蒸镀材料
材料名称 元素名称 原子序数  导热性
W/m.K
理论密度
g/cc
Si硅P-type(片) Si 14 150 2.32


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