碳化硅(SiC)，这种宽能隙的半导体组件可用于打造更优质的晶体管，取代当今的硅功率晶体管，并与二极管共同搭配，提供最低温度、最高频率的功率组件。 SiC晶体管所产生的热也比硅功率晶体管更低30%，然而，它的成本至今仍然比硅更高5倍。
为了降低SiC的制造成本，美国北卡罗莱纳州立大学的研究人员设计了一种PRESiCE工艺，并搭配TI X-Fab实现低成本的SiC功率MOSFET,日前于美国华府举行的2017年碳化硅及相关材料国际会议(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials；ICSCRM 2017)发表技术细节。
为了寻找低成本授权的工艺以降低这些障碍，Baliga及其研究团队设计了一种“制造SiC电子组件之工程工艺”(Process Engineered for Manufacturing SiC Electronic-devices；PRESiCE)，并采用德州仪器(Texas Instruments ；TI)的X-Fab来实现。
立承德http://www.nexteck.com/供应多种元素合金（CuNi1,CuNi2,CuNi6,CuNi10,CuNi15,SiC）
根据Baliga，PRESTICE并不只是一种开发SiC工艺的低成本替代方法，它也比传统的专有工艺更有效率。降低授权成本将有助于让更多的业者加入市场竞争，从而提高SiC的产量。反过来说，这也不可避免地会降低SiC的价格，或许还会降低到只比硅的价格多50%。
SiC功率组件除了可作业于较低的温度下，也可以在更高的频率下切换，从而让功率电子产品得以使用较小的电容、电感和其他被动组件，最终使得设计人员能在更小的空间中封装更多组件，而仍使其保持轻量纤薄。 Baliga说，PRESiCE工艺能实现较高产量，并严格控制产出SiC组件的特性。
编译：Susan Hong
文章来自《EET电子工程专辑》
关注行业动态，了解产业信息，以实现与时俱进，开拓创新，稳步发展。
标签: 碳化硅 半导体 晶体