大多数的快速随机存取记忆体（RAM）都是以是否采用电荷以指示 '0' 或 '1' 为基础。这种记忆体真的极其快速，很容易就能达到低于1皮秒（ PS）或10亿分之一秒开关时间。而且他们的速度也得这么快，才能跟得上当今CPU所需的功能。
但问题是，这种真正快速的记忆体要恒定输入的能量，以保持 '0' 或 '1'。当然，其每位元的功耗十分微小，但考虑到当今电子装置采用数10亿位元组（千兆字节; GB）的记忆体，整体的功率要求迅速增加，而功率消耗也产生热量供电和散热一直是电脑设计的问题，而对于行动装置，穿戴式装置以及远端物联网噪声比（IoT）装置而言，他们也成为设计成败最关键的因素。
磁阻式随机存取记忆体（MRAM）是非挥发性的，一旦记忆体经设，就不需要维持功率，也能保有设定。但缺点是速度不够。美国加州大学柏克莱分校（UC Berkeley）教授Jeffrey Bokor及其研究团队正着手突破这一速度障碍。
美国加州大学（柏克莱分校和河滨分校）的研究人员开发了一种新的超快速电子控制方法，可控制某些金属的磁性。他们发现，釓和铁的磁性合金在经过几皮秒（十亿分之一秒）的雷射突波脉冲时，能在10皮秒的时间内改变磁的方向。尽管不像基于电荷的半导体RAM，但它代表现有MRAM技术的巨大进展。
加州大学研究人员Richard Wilson说：「电脉冲暂时增加了？原子电子的能量，能量的增加使得铁和原子的磁力彼此施加扭矩，最终导致金属的磁极重新定向。这是利用电流控制磁体的全新方式。」
釓铁合金只是第一步。另一位研究人员Charles-Henri Lambert所指出的那样，「找到一种扩展这一途径的方式，从而为更广泛的磁性材料类型实现更快速的电子写入，是一项令人振奋的挑战。」
下一步就是要在釓铁合金上面堆叠一层钴。研究人员们已展开了第二项研究，其结果发表在“应用物理学快报”（Applied Physics Letters）期刊中。在这项研采用釓铁钴GdFeCo制成）薄膜，显示由雷射脉冲导致的切换持续时间更短得多;这表示即使能效更高，产生的热仍较少。
磁阻记忆体并不是实现更快速，更有效率记忆体的唯一可能性。
编译：Susan Hong
参考原文：Speedy magnetic RAM requires no refresh signals，by Gary Elinoff
文章来源:EET 电子工程专辑
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标签: MRAM 釓铁合金 记忆体